Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRLMS6802TRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050008301
- Бренд
- International Rectifier
- Series
- HEXFET
- FET Type
- P-Channel
- Packaging
- Tape & Reel(TR)
- Pin Count
- 2
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 59 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, P-CH, -20 В, SOT-23-6; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -5,6 А; Напряжение источника стока Vds: -20 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,05 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: -4,5 В; Пороговое напряжение Напряжение: -1,2В; P
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| FET Type | P-Channel |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Pin Count | 2 |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250ВµA |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 2W(Ta) |
| Supplier Device Package | Micro6в(ў(TSOP-6) |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 12V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.05 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1079pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.6A(Ta) |