Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRLD110PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025480970
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 6.29mm
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.6
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 188 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 0,7А, 1,3Вт, DIP4 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 6.29mm |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.6 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HVMDIP |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | логические уровни |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 540 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1 A |
| Крутизна характеристики, S | 1.3 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |