Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRLD014PBF

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRLD014PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8075240147
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
RoHS
Подробности
Width
6.29mm
Pin Count
4
Вес, г
0.55
Цена по запросу
(от 95 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A

Технические параметры

RoHSПодробности
Width6.29mm
Pin Count4
Вес, г0.55
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeHVMDIP
КорпусHVMDIP-4
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада26 ns
Особенностилогические уровни
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation1.3 W
Typical Gate Charge @ Vgs8.4 nC @ 5 V
ПроизводительVishay
Maximum Gate Source Voltage-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокDIP-4
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Qg - заряд затвора8.4 nC
Maximum Drain Source Resistance200 mΩ
Время нарастания110 ns
Maximum Continuous Drain Current1.7 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1.3 W
Id - непрерывный ток утечки1.7 A
Крутизна характеристики, S1.9 S
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Пороговое напряжение на затворе2V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Vds - напряжение пробоя затвор-исток10 V
Типичное время задержки выключения17 ns
Типичное время задержки при включении9.3 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.1.9 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)200mΩ@5V, 1A

Техническая документация