Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRL640STRLPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024403398
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Q(g)
- 66 nC
- SVHC
- Yes
Цена по запросу
(от 182,64 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Q(g) | 66 nC |
| SVHC | Yes |
| V(DS) | 200 V |
| P(tot) | 125 W |
| Package | D2PAK |
| R(thJC) | 1 K/W |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | YES |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | D2Pak(TO-263) |
| Configuration | Single |
| Package Width | 9.65(Max) |
| RDS(on)at 10V | 180 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Package Length | 10.41(Max) |
| I(D)at Tc=25°C | 17 A |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Standard Package Name | TO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 52 |
| Typical Rise Time (ns) | 83 |
| Особенности | логические уровни |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3100 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 66(Max)@5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 44 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 17 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1800@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 180@5V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |