Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRFZ44EPBF

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRFZ44EPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8474635781
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
HEXFET
Military
No
Packaging
Tube
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 141,09 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт, 0.023 Ом

Технические параметры

SeriesHEXFET
MilitaryNo
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г2.5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
Supplier PackageTO-220AB
Process TechnologyHEXFET
Transistor MaterialSi
Standard Package NameTO-220
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation110 W
Typical Gate Charge @ Vgs60 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Operating Temperature - (??C)-55~175
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance23 mΩ
Maximum Continuous Drain Current48 A
Maximum Power Dissipation - (mW)110000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)60(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)60(Max)@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??20
Maximum Drain Source Voltage - (V)60
Maximum Continuous Drain Current - (A)48
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)1360@25V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)23@10V
Крутизна характеристики, S15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация