Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRFIBF30GPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050290786
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Серия
- IRFIBF
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 900V N-CH HEXFET
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | IRFIBF |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 78 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 35 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.9 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.7 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |