Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRFD110PBF

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRFD110PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025728331
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.6
Длина
5мм
Серия
IRFD
Высота
3.37мм
Цена по запросу
(от 209 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,71А, 1,3Вт, DIP4

Технические параметры

Вес, г0.6
Длина5мм
СерияIRFD
Высота3.37мм
Ширина6.29мм
Размеры5 x 6.29 x 3.37мм
УпаковкаTube
КатегорияМощный МОП-транзистор
Тип каналаN
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада9.4 ns
Тип корпусаHVMDIP
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Особенности-
Номер каналаПоднятие
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationОдинарный
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
ПроизводительVishay
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокHVMDIP-4
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Число контактов4
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора8.3 nC
Время нарастания16 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Материал транзистораSI
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1.3 W
Id - непрерывный ток утечки1 A
Крутизна характеристики, S0.8
Размер фабричной упаковки2500
Количество элементов на ИС1
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Типичный заряд затвора при Vgs8.3 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds180 pF @ 25 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток540 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное рассеяние мощности1,3 Вт
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+175 °C
Типичное время задержки включения6.9 ns
Максимальное напряжение сток-исток100 В
Максимальный непрерывный ток стока1 А
Типичное время задержки выключения15 нс
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Типичное время задержки при включении6.9 ns
Максимальное сопротивление сток-исток540 mΩ
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.0.8 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация