Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRFD014PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8755536596
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- RoHS
- Подробности
- Width
- 6.29mm
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.6
Цена по запросу
(от 92,40 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом
Технические параметры
| RoHS | Подробности |
| Width | 6.29mm |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.6 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HVMDIP |
| Корпус | DIP-4 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Material | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 50 ns |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Производитель | Vishay |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay/Siliconix |
| Упаковка / блок | HexDIP-4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Время нарастания | 50 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.7 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.7 A |
| Крутизна характеристики, S | 0.96 |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 20 V |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |