Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRFBF20SPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069306362
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 10.67 mm
- Серия
- IRFBF
- Высота
- 4.83 mm
Цена по запросу
(от 161 ₽)
Минимальный заказ: 160 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 900V N-CH HEXFET D2-PA
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | IRFBF |
| Высота | 4.83 mm |
| Ширина | 9.65 mm |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 38 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 54 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.7 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |