Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRFBC30PBF

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRFBC30PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8419876426
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
4.7mm
Pin Count
3
Вес, г
2.5
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 89,10 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6А 74Вт, 2.2 Ом

Технические параметры

Width4.7mm
Pin Count3
Вес, г2.5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation74 W
Typical Gate Charge @ Vgs31 nC @ 10 V
Температура, С-55…+150
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance2.2 Ω
Maximum Continuous Drain Current3.6 A
Крутизна характеристики, S2.4
Крутизна характеристики S,А/В2.1
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт74
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм2200
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В4.5

Техническая документация