Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRFBC30PBF

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRFBC30PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068281336
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
4.7mm
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 102 ₽)
Минимальный заказ: 118 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 2,3А, 74Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width4.7mm
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation74 W
Typical Gate Charge @ Vgs31 nC @ 10 V
Температура, С-55…+150
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance2.2 Ω
Maximum Continuous Drain Current3.6 A
Крутизна характеристики S,А/В2.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм2200
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В4.5

Техническая документация