Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRFB7530PBF

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRFB7530PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003791925
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.83mm
Series
StrongIRFET
Pin Count
3
Вес, г
2.5
Цена по запросу
(от 330,09 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A

Технические параметры

Width4.83mm
SeriesStrongIRFET
Pin Count3
Вес, г2.5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-канал
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Особенностинизковольтные mosfets для сильноточных применений
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation375 W
Typical Gate Charge @ Vgs274 nC @ 10 V
Температура, С-55...+175
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage2.1V
Maximum Drain Source Resistance2 mΩ
Maximum Continuous Drain Current195 A
Крутизна характеристики, S242
Крутизна характеристики S,А/В242
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А195
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт375
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В3.7

Техническая документация