Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRFB3306PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8439504402
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- Power MOSFET
- Width
- 4.82mm
- Series
- HEXFET
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 92,40 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Width | 4.82mm |
| Series | HEXFET |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | TO220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 230(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 160(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 160 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Крутизна характеристики, S | 23 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |