Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRF9530NPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050008341
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Version
- P-channel
- Assembly
- THT
- Enclosure
- TO-220
Цена по запросу
(от 72 ₽)
Минимальный заказ: 35 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, -14А, 79Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Version | P-channel |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Power loss | 79 W |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Max. current | -14 A |
| Package Type | TO-220AB |
| max. Voltage | -100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 5.8x10<sup>-8</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 79 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |