Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRF830ASPBF

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRF830ASPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068689546
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
9.65mm
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 209,19 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор, 5 А, 500 В, 3-контактный разъем D2PAK Vishay IRF830ASPBF

Технические параметры

Width9.65mm
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation3.1 W
Typical Gate Charge @ Vgs24 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage500 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance1.4 Ω
Maximum Continuous Drain Current5 A

Техническая документация