Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRF740PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8990937480
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 63 nC
- V(DS)
- 400 V
- Width
- 4.7mm
- P(tot)
- 125 W
Цена по запросу
(от 132 ₽)
Минимальный заказ: 7 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 134Вт, 0.54 Ом
Технические параметры
| Q(g) | 63 nC |
| V(DS) | 400 V |
| Width | 4.7mm |
| P(tot) | 125 W |
| Тип | MOP транзистор полевой 1 N-канал серии IRF |
| Package | TO-220 |
| R(thJC) | 1 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | Siliconix |
| Вес, г | 2.5 |
| Время | задержки включения/выключения-14/50 нс |
| Длина | 10.41мм |
| Заряд | затвора(Qg)-63 нКл |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 9.01мм |
| Корпус | TO-220AB |
| Ширина | 4.7мм |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 550 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Размеры | 10.41 x 4.7 x 9.01мм |
| I(D)at Tc=25°C | 10 A |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-150 Вт |
| Описание | MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB |
| Упаковка | TUBE |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Transistor Material | Si |
| Тип канала | N |
| Ток утечки | непрерывный(Id)-10 А |
| Емкость, пФ | 1570 |
| Назначение | управление силовыми цепями |
| Напряжение | затвор-исток(Vgs)--20/+20 В; пороговое затвор-исток(Vgs th)-4 В |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Особенности | - |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Производитель | Vishay |
| Сопротивление | сток-исток(Rds вкл)-550 мОм |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 3 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 550 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Заряд затвора, нКл | 63 |
| Материал транзистора | SI |
| Крутизна характеристики, S | 8.9 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Типичная входная емкость при Vds | 1400 пФ при 25 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 125 W |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 10 |
| Типичное время задержки включения | 14 ns |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток | 400 V |
| Максимальный непрерывный ток стока | 10 A |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/2500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 550 мΩ |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 550 |