Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRF730PBF

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRF730PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8680657646
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Version
N channel
Assembly
THT
Enclosure
TO-220
Power loss
74 W
Цена по запросу
(от 70,98 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5А 74Вт, 1 Ом

Технические параметры

VersionN channel
AssemblyTHT
EnclosureTO-220
Power loss74 W
Вес, г2.5
СерияIRF
Max. current5.5 A
max. Voltage400 V
КорпусTO-220AB
УпаковкаTube
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада14 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Gate Charge Qg @10V (nC)3.8x10<sup>-8</sup> C
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-55 °C
Температура, С-55…+150
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора38 nC
Время нарастания15 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности74 W
Id - непрерывный ток утечки5.5 A
drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V1 Ω
Крутизна характеристики, S3
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Крутизна характеристики S,А/В2.9
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток400 V
Пороговое напряжение на затворе2…4
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения38 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.5
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.2.9 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт74
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм1000
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1 Ом/3.3А, 10В

Техническая документация