Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRF720PBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8320887948
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 86,90 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.3А 50Вт, 1.8 Ом
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 2.5 |
| Серия | IRF |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | TO-220AB |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 13 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Rise Time (ns) | 14 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 50000 |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20(Max)10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 120 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Время нарастания | 14 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 5 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.6 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 11(Max) |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 3.3(Max) |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 270 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.3 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 410 25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 1400 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1800 10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 13 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.3 A |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 47 25V |
| Крутизна характеристики, S | 1.7 |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.7 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |