Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IRF520SPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8068339702
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- -
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tube
- Vgs (Max)
- В±20V
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Channel 100V
Технические параметры
| Series | - |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Серия | IRF |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 5.5A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W(Ta), 60W(Tc) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Qg - заряд затвора | 16 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9.2A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.7 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.2 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |