Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) FDMS86202
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069576540
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 3.3 mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 120 В, 64 А, PQFN; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 64 А; Напряжение источника стока Vds: 120 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,006 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs:3,1 В; Мощность Мощность рассеивания: 156 Вт; Тип корпуса транзистора: PQFN; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: Серия PowerTrench; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC:Без SVHC (15 января 2019 г.)
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 3.3 mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Height | 0.8 mm |
| Length | 3.3 mm |
| Series | FDMS86202 |
| Series: | FDMS86202 |
| Fall Time | 5 ns |
| Packaging | Cut Tape |
| Rise Time | 6 ns |
| Tradename | PowerTrench Power Clip |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | PowerTrench Power Clip |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.001993 oz |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | Power-56-8 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Power-56-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 45 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 156Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 156 W |
| Pd - Power Dissipation: | 156 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 21 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 40 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 44 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 44 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.006Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10.9 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.9 mOhms |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 120 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.1 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 64А |
| Рассеиваемая Мощность | 156Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 120В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.006Ом |