Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) FDMA430NZ

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) FDMA430NZ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024376972
Бренд
ON Semiconductor***
Type
1PCSNChannel
Pin Count
6
Вес, г
0.05
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 153 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N; Полярность транзистора: N каналов; Постоянный ток стока Id:5A; Напряжение источника стока Vds: 30 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,0236 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: 4,5 В; Пороговое напряжение Vgs:810 мВ; Рассеиваемая мощность Pd:90

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Pin Count6
Вес, г0.05
Channel ModeEnhancement
Package TypeMicroFET 2x2
Mounting TypeSurface Mount
Product Width2mm
Product Height0.95mm
Product Length2mm
Supplier PackageMLP EP
Typical Fall Time6ns
Typical Rise Time7.1ns
разрешениеPower MOSFET
Power Dissipation (Pd)2.4W
конфигурацияSingle; Quad Drain
Maximum Power Dissipation2.4 W
Typical Gate Charge @ Vgs7.3nC
Total Gate Charge (Qg@Vgs)11nC@4.5V
Typical Turn-On Delay Time8.3ns
Maximum Gate Source Voltage±12V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time18.1ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)800pF@10V
Maximum Drain Source Voltage30V
Continuous Drain Current (Id)5A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Drain Source Resistance40m?
Typical Input Capacitance @ Vds600pF
Maximum Continuous Drain Current5A
монтаж (установка)Surface Mount
максимальная рабочая температура150°C
Максимальная рассеиваемая мощность900mW

Техническая документация