Моя заявка (0)
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) FDC855N

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073661660
Бренд
ON Semiconductor***
Type
N Channel
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Width
1.7mm
Series
PowerTrench
Цена по запросу
(от 53 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.

Технические параметры

TypeN Channel
BrandON Semiconductor/Fairchild
Width1.7mm
SeriesPowerTrench
ProductMOSFET Small Signal
Fall Time2 ns
PackagingCut Tape or Reel
Pin Count6
Rise Time2 ns
TradenamePowerTrench
TechnologySi
Вес, г1
SubcategoryMOSFETs
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeSOT-23
Product TypeMOSFET
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSSOT-6
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Number Of Channels1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation1.6 W
Power Dissipation (Pd)1.6W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.6 W
Typical Gate Charge @ Vgs9.2 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time6 ns
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time14 ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Continuous Drain Current (Id)6.1A
Id - Continuous Drain Current6.1 A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance39 mΩ
Maximum Continuous Drain Current6.1 A
Rds On - Drain-Source Resistance27 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V

Техническая документация