Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) FDC658AP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003141132
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.7mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.03
Цена по запросу
(от 45,39 ₽)
Минимальный заказ: 8 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30V, 4A 1,6Вт
Технические параметры
| Width | 1.7mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SSOT6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |