Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) FDC6305N

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) FDC6305N

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069080714
Бренд
ON Semiconductor***
Case
SuperSOT-6
Width
1.7mm
Series
PowerTrench
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 2,7А, 0,96Вт, SuperSOT-6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseSuperSOT-6
Width1.7mm
SeriesPowerTrench
MountingSMD
Pin Count6
TechnologyPowerTrench®
Вес, г1
Gate charge5nC
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerONSEMI
Package TypeSOT-23
Polarisationunipolar
Drain current2.7A
Mounting TypeSurface Mount
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power dissipation0.96W
Type of transistorN-MOSFET x2
Gate-source voltage±8V
On-state resistance128mΩ
Transistor MaterialSi
Drain-source voltage20V
Transistor ConfigurationIsolated
Maximum Power Dissipation960 mW
Typical Gate Charge @ Vgs3.5 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage20 V
Continuous Drain Current (Id)4.8A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage0.4V
Maximum Drain Source Resistance128 mΩ
Maximum Continuous Drain Current2.7 A
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока2.7А
Рассеиваемая Мощность960мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs900мВ
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораSuperSOT
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.08Ом

Техническая документация