Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) DMN62D1SFB
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002385677
- Бренд
- DIODES INC.
- RoHS
- Details
- Brand
- Diodes Incorporated
- Series
- DMN62
- Fall Time
- 11.96 ns
Цена по запросу
(от 28,50 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60V 0.41A с 3-контактным разъемом DFN T/R
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Series | DMN62 |
| Fall Time | 11.96 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 4.93 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DFN1006-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 2.8 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Pd - Power Dissipation | 470 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.89 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 18.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 410 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 100 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.4 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.3 V |