Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) DMN2080UCB4-7
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069277635
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 816 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 268 ns
Цена по запросу
(от 67 ₽)
Минимальный заказ: 118 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 816 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 268 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | X2-WLB0808-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | X2-WLB0808-4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.4 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +5 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 152 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 1245 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 43 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |