Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) DMN2016UTS
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003893807
- Бренд
- DIODES INC.
- FET Type
- 2 N-Channel(Dual)Common Drain
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Вес, г
- 1
- FET Feature
- Logic Level Gate
Цена по запросу
(от 37,95 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двойной N-канальный МОП-транзистор, 8,6 А, 20 В, 8-контактные диоды TSSOP, Inc DMN2016UTS-13
Технические параметры
| FET Type | 2 N-Channel(Dual)Common Drain |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 880mW |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm Width) |
| Base Part Number | DMN2016U |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1495pF @ 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8.58A |