Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) BSC025N03MSG

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) BSC025N03MSG

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067882852
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
2.4 ns
Rise Time:
3 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 82,20 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:2.4 ns
Rise Time:3 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TDSON-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:BSC25N3MSGXT SP000311505 BSC025N03MSGATMA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:27 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Pd - Power Dissipation:35 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:4.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:28 S
Rds On - Drain-Source Resistance:6.7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V

Техническая документация