Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) BS170
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8606973560
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.19mm
- Version
- N channel
- Assembly
- THT
- Enclosure
- TO-92
Цена по запросу
(от 34 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.5А 0.83Вт
Технические параметры
| Width | 4.19mm |
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Power loss | 300 mW |
| Вес, г | 0.3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Max. current | 500 mA |
| Package Type | TO-92 |
| max. Voltage | 60 V |
| Корпус | TO92-3 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | приводы электродвигателей |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 830 mW |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| кол-во в упаковке | 2000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 500 mA |
| Крутизна характеристики, S | 0.32 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ω |