Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) AOD609
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069106293
- Бренд
- Alpha & Omega
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- Type
- Power MOSFET
- Вид
- N+P-MOSFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Полевой транзистор AOD609 от производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR является высококачественным компонентом категории N+P-MOSFET. С монтажом типа SMD, этот транзистор гарантирует надежную работу при токе стока 12 А и напряжении сток-исток 40 В. Его мощность достигает 14 Вт, а сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,03 Ом, что обеспечивает высокую эффективность. Корпус TO252-4 делает его удобным для использования в широком спектре областей применения. Используя AOD609 в вашем проекте, вы получите надежное и долговечное решение, предназначенное для сложных электронных систем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N+P-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 12 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 14 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.03 Корпус TO252-4
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| Type | Power MOSFET |
| Вид | N+P-MOSFET |
| Тип | полевой |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N/P |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | Unknown |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N|P |
| Package Type | DPAK |
| Rad Hardened | No |
| Монтаж | SMD |
| Configuration | Dual Common Drain |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Number of Elements | 2 |
| Process Technology | TMOS |
| Drain-Source On-Volt | 40(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Ток стока, А | 12 |
| Typical Fall Time (ns) | 6.6 N Channel|41.2 P Channel |
| Typical Rise Time (ns) | 3.6 N Channel|8.4 P Channel |
| Мощность, Вт | 14 |
| Continuous Drain Current | 12(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 27000 N Channel|30000 P Channel |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 16.2 P Channel|8.3 N Channel |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.3 10V N Channel|16.2 10V|7.2 4.5V P Channel |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.4 N Channel|6.2 P Channel |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 16.2 N Channel|44.8 P Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 516 20V N Channel|900 20V P Channel |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 30 10V N Channel|45 10V P Channel |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Напряжение сток-исток, В | 40 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.03 |