Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) AOD403
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001945963
- Бренд
- Alpha & Omega
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- Type
- Power MOSFET
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой AOD403 производства ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR является высококачественным N-MOSFET компонентом, предназначенным для монтажа в SMD-технологии. Этот полевой транзистор обладает током стока 55 А, что позволяет ему справляться с серьезными нагрузками, а напряжение сток-исток составляет 30 В, что делает его универсальным решением для широкого спектра электронных применений. Мощность устройства достигает 45 Вт, предоставляя достаточный запас для стабильной работы. Особенно впечатляет сопротивление в открытом состоянии, равное всего 0,008 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности устройства. Корпус TO252 гарантирует надежность и долговечность компонента. Приобретайте AOD403 для уверенной работы ваших электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 55 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 45 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.008 Корпус TO252
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| Type | Power MOSFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | P |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 2+Tab |
| Automotive | Unknown |
| Power Gain | Not Required dB |
| Вес, г | 0.6 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Noise Figure | Not Required dB |
| Package Type | DPAK |
| Rad Hardened | No |
| Configuration | Single |
| Frequency (Max) | Not Required MHz |
| Drain Efficiency | Not Required% |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Power Dissipation | 90(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Output Power (Max) | Not Required W |
| Drain Current (Max) | 70 A |
| Drain-Source On-Volt | 30(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Typical Fall Time (ns) | 22 |
| Typical Rise Time (ns) | 12 |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 70(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±25(V) |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 51nC |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2890pF |
| Continuous Drain Current (Id) | 15A |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 90000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 51 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 51@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 70 |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2890@15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6.2@20V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 470pF |
| Крутизна характеристики, S | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.2 мОм/20А, 10В |