Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) AOD2N60A

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) AOD2N60A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070552974
Бренд
Alpha & Omega
FET Type
N-Channel
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 93 ₽)
Минимальный заказ: 191 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 1,4А, 57Вт, TO252

Технические параметры

FET TypeN-Channel
MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count3
Vgs (Max)±30V
AutomotiveUnknown
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63
Supplier PackageDPAK
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Operating Temperature-50°C ~ 150°C(TJ)
Standard Package NameTO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max)57W(Tc)
Supplier Device PackageTO-252(DPAK)
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Operating Temperature - (??C)-50~150
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Maximum Power Dissipation - (mW)57000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)6.5
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)6.5@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??30
Maximum Drain Source Voltage - (V)600
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds295 pF @ 25 V
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)4.5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Maximum Continuous Drain Current - (A)2
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)295@25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A(Tc)
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)4700@10V

Техническая документация