Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) AGM210MAP

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) AGM210MAP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068904267
Бренд
AGMSEMI Semiconductor Technology
Вес, г
1
Power Dissipation (Pd)
35W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)
23nC@4.5V
Drain Source Voltage (Vdss)
20V
Цена по запросу
(от 27 ₽)
Минимальный заказ: 600 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
Power Dissipation (Pd)35W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)23nC@4.5V
Drain Source Voltage (Vdss)20V
Continuous Drain Current (Id)25A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)700mV@250uA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@4.5V, 4A

Техническая документация