Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) 2N7002E
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001951609
- Бренд
- DIODES INC.
- RoHS
- Details
- Brand
- Diodes Incorporated
- Width
- 1.3 mm
- Height
- 1 mm
Цена по запросу
(от 7,23 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60V 0,3A с 3-контактным разъемом SOT-23 T/R на магнитофонной ленте и катушке (Артикул: 2N7002E-7-F)
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Width | 1.3 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | 2N7002 |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Packaging | Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.08 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 250 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |