Транзисторы биполярные (BJTs) ZTX869
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007155372
- Бренд
- DIODES INC.
- RoHS
- Details
- Brand
- Diodes Incorporated
- Width
- 2.41 mm
- Height
- 4.01 mm
Цена по запросу
(от 85,80 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор Diodes Inc. ZTX869 на NPN-транзисторе, 5 А, 25 В, 3-контактный разъем E-Line
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Width | 2.41 mm |
| Height | 4.01 mm |
| Length | 4.77 mm |
| Series | ZTX869 |
| Packaging | Bulk |
| Вес, г | 0.05 |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-92-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.2 W |
| DC Current Gain hFE Max | 300 at 10 mA at 1 V |
| Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Continuous Collector Current | 5 A |
| Maximum DC Collector Current | 5 A |
| Maximum Operating Temperature | +200 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 300 at 10 mA at 1 V, 300 at 1 A at 1 V, 250 at 5 A at 1 V, 40 at 20 A at 1 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 25 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 180 mV |