Транзисторы биполярные (BJTs) TIP32BTU
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073595062
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Type
- PNP
Цена по запросу
(от 137,89 ₽)
Минимальный заказ: 300 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT PNP 80V 3A 2000 МВт 3-контактный (3 + язычка) разъем TO-220
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Type | PNP |
| Category | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Rail |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1.7 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Single |
| Package Width | 4.83(Max) |
| Package Length | 10.67(Max) |
| Supplier Package | TO-220 |
| Standard Package Name | TO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Minimum DC Current Gain | 25@1A@4V|10@3A@4V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 5 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 3 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.8@3A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@375mA@3A |