Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) TIP141G

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9001204635
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Width
4.9 mm
Height
12.2 mm
Цена по запросу
(от 1 395 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ТРАНЗИСТОР, NPN, 80 В, 10 А, TO-247-3; Полярность транзистора:NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo:80 В; Частота переxода ft:-; Рассеиваемая мощность Pd:125 Вт; Ток коллектора постоянного тока:10 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:500hFE; Тип корпуса транзистора: TO-247; Количество контактов:3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC:Без SVHC (27 июня 2018 г.); Минимальная рабочая температура:-65°C

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor
Width4.9 mm
Height12.2 mm
Length15.2 mm
SeriesTIP141
PackagingTube
Вес, г8.51
Unit Weight0.229281 oz
ManufacturerON Semiconductor
ConfigurationSingle
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-247
Product CategoryDarlington Transistors
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity30
DC Current Gain hFE Max500 at 10 A at 4 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Collector- Base Voltage VCBO80 V
Maximum DC Collector Current10 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min1000
Maximum Collector Cut-off Current1000 uA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max80 V

Техническая документация