Транзисторы биполярные (BJTs) TIP122G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8191339283
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 10.28mm
- Mounting
- Through Hole
- Polarity
- NPN
- Packaging
- Rail/Tube
Цена по запросу
(от 66,69 ₽)
Минимальный заказ: 7 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт
Технические параметры
| Width | 10.28mm |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | NPN |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.5 |
| Package Type | TO-220 |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| DC Current Gain | 1000 |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 2(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Collector Current (DC) | 5(A) |
| Collector-Base Voltage | 100(V) |
| Minimum DC Current Gain | 1000 |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector-Emitter Voltage | 100(V) |
| Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector Current (DC) (Max) | 5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Cut-off Current | 0.5mA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2(V) |
| Maximum Continuous Collector Current | 8 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 4 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 65 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |