Моя заявка (0)
Транзисторы биполярные (BJTs) TIP112

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061311030
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Width
4.6 mm
Height
9.15 mm
Цена по запросу
(от 80 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор n-p-n Дарлингтон+диод 100В 2A 50Вт TO220 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Width4.6 mm
Height9.15 mm
Length10.4 mm
SeriesDarlingtons
PackagingTube
Pin Count3
Вес, г100
ManufacturerSTMicroelectronics
Package TypeTO-220
КорпусTO-220
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Transistor TypeNPN
Product CategoryDarlington Transistors
Структураnpn darlington с 2 резисторами и диодом
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity1000
Minimum DC Current Gain500
Transistor ConfigurationSingle
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO100 V
Maximum DC Collector Current2 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 °C
DC Collector/Base Gain hfe Min1000
Maximum Collector Base Voltage100 V
кол-во в упаковке50
Maximum Collector Cut-off Current1000 uA
Maximum Collector Emitter Voltage100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max100 V
Maximum Continuous Collector Current2 A
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В100

Техническая документация