Транзисторы биполярные (BJTs) TIP102G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009567938
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.82mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.99
- Package Type
- TO-220AB
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 80 Вт
Технические параметры
| Width | 4.82mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.99 |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 8A |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transition frequency (fT) | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| DC current gain (hFE@Vce,Ic) | 1000@4V, 3A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Collector-emitter voltage (Vceo) | 100V |
| Maximum Collector Cut-off Current | 0.05mA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Collector cut-off current (Icbo@Vcb) | 50uA |
| Maximum Continuous Collector Current | 8 A |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
| Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 2.5V@8A, 80mA |