Транзисторы биполярные (BJTs) SS8550CBU
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069078512
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 3.93 mm
- Height
- 4.7 mm
Цена по запросу
(от 9,85 ₽)
Минимальный заказ: 3400 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TO92 PNP 2W BULK
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 3.93 mm |
| Height | 4.7 mm |
| Length | 4.7 mm |
| Series | SS8550 |
| Packaging | Bulk |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.7 mm |
| Серия | SS8550 |
| Unit Weight | 0.006314 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-92 |
| Высота | 4.7 mm |
| Ширина | 3.93 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-92-3 |
| Part # Aliases | SS8550CBU_NL |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Упаковка | Bulk |
| Transistor Polarity | PNP |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| DC Current Gain hFE Max | 300 |
| Minimum DC Current Gain | 120, 160 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 200 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -6 V |
| Maximum Operating Frequency | 200 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -40 V |
| Continuous Collector Current | -1.5 A |
| Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 85 |
| Maximum Collector Base Voltage | -40 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -25 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -25 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.28 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Другие названия товара № | SS8550CBU_NL |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.28 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 85 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |