Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) SS8050DBU

Транзисторы биполярные (BJTs) SS8050DBU

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069528958
Бренд
ON Semiconductor***
Category
Bipolar Power
Mounting
Through Hole
Frequency
100(MHz)
Packaging
Bag
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN/40V/1.5A

Технические параметры

CategoryBipolar Power
MountingThrough Hole
Frequency100(MHz)
PackagingBag
Pin Count3
Вес, г1
Длина4.7 mm
СерияSS8050
Output PowerNot Required(W)
Package TypeTO-92
Rad HardenedNo
Высота4.7 mm
Ширина3.93 mm
ConfigurationSingle
DC Current Gain160
УпаковкаBulk
Power Dissipation1(W)
Number of Elements1
Transistor PolarityNPN
Emitter-Base Voltage6(V)
Operating Temp Range-65C to 150C
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Collector Current (DC)1.5(A)
Collector-Base Voltage40(V)
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-92-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Operating Temperature ClassificationMilitary
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1 W
Другие названия товара №SS8050DBU_NL
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток1.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.25 V
Максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)85
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация