Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) PHE13005.127

Транзисторы биполярные (BJTs) PHE13005.127

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067082845
Бренд
WeEn Semiconductors
Pin Count
3
Вес, г
1.7
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Цена по запросу
(от 61,26 ₽)
Минимальный заказ: 95 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1.7
Package TypeTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
Power Dissipation75Вт
DC Current Gain hFE Min10hFE
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation75 W
Maximum Operating Frequency60 Hz
Number of Elements per Chip1
Continuous Collector Current4А
Maximum DC Collector Current4 A
Maximum Emitter Base Voltage9 V
Collector Emitter Voltage Max400В
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage700 V
DC Усиление Тока hFE10hFE
Maximum Collector Emitter Voltage400 V
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Полярность ТранзистораNPN
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация