Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) PHD13003C.412

Транзисторы биполярные (BJTs) PHD13003C.412

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073431279
Бренд
NXP Semiconductor
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Package
Bulk
Power - Max
2.1W
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 2600 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный (BJT) транзистор NPN 400V 1.5A 2.1 Вт со сквозным отверстием TO-92-3

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
PackageBulk
Power - Max2.1W
RoHS StatusRoHS Compliant
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Transistor TypeNPN
Power Dissipation2.1Вт
Operating Temperature150В°C (TJ)
Collector Current (Ic)1.5A
Power Dissipation (Pd)2.1W
DC Current Gain hFE Min17hFE
Supplier Device PackageTO-92-3
Transition Frequency (fT)-
Continuous Collector Current1.5А
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)5@1A, 2V
Collector Emitter Voltage Max400В
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector (Ic) (Max)1.5A
Collector Cut-Off Current (Icbo)100uA
Current - Collector Cutoff (Max)100ВµA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce5 @ 1A, 2V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)400V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400V
Полярность ТранзистораNPN
Стиль Корпуса ТранзистораTO-92
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)1.5V@1.5A, 500mA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация