Транзисторы биполярные (BJTs) PBSS5540X
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010183722
- Бренд
- NXP Semiconductor
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- Width
- 2.6 mm
- Height
- 1.6 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР, PNP, SOT-89; Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo:40 В; Частота переxода ft:-; Рассеиваемая мощность Pd: 550 МВт; Ток коллектора постоянного тока:5 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:250hFE; Тип корпуса транзистора: SOT-89; Количество Контакты: 3 контакта; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.); Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено): 120 В; Максимальный постоянный ток коллектора Ic: 5 А; Ток Ic @ Vce Sat: 500A; Постоянный ток Ic a Max: 5A; Ток Ic hFE: 500 мкА; Номинальная температура при полной мощности: 25 В°C; Тип полосы усиления ft: 60 МГц; Hfe Min: 250; Минимальная рабочая температура: -65 В°C; Диапазон рабочиx температур:-65 В°CC до +150 В°C; Максимальная рассеиваемая мощность Ptot: 1,3 Вт; Напряжение Vcbo: -40 В
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| Width | 2.6 mm |
| Height | 1.6 mm |
| Length | 4.6 mm |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 0.09 |
| Длина | 4.6 mm |
| Unit Weight | 0.035274 oz |
| Manufacturer | Nexperia |
| Высота | 1.6 mm |
| Ширина | 2.6 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-243-3 |
| Part # Aliases | /T3 PBSS5540X |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 550 mW |
| DC Current Gain hFE Max | 250 at 0.5 A at 2 V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 60 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -6 V |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | TO-243-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 40 V |
| Continuous Collector Current | -4 A |
| Maximum DC Collector Current | -10 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 250 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -40 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 550 mW |
| Другие названия товара № | /T3 PBSS5540X |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 0.5 A at 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 60 MHz |