Транзисторы биполярные (BJTs) PBSS5160T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004139907
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Вес, г
- 0.05
- Transistor Type
- PNP
- Transistor Polarity
- PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
- Pd - Power Dissipation
- 400mW
Цена по запросу
(от 12,68 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный (BJT) одиночный транзистор, PNP, 60 В, 220 МГц, 270 МВт, 1 А, 350 соответствует требованиям RoHS: Да
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Transistor Type | PNP |
| Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Pd - Power Dissipation | 400mW |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |