Транзисторы биполярные (BJTs) NZT751
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067997825
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Type
- PNP
Цена по запросу
(от 108,47 ₽)
Минимальный заказ: 400 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT PNP 60V 4A 1200 МВт 4-контактный(3+вкладки) SOT-223 T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Type | PNP |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Package Width | 3.5 mm |
| Package Length | 6.5 mm |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Standard Package Name | SOT |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Minimum DC Current Gain | 75@50mA@2V|75@500mA@2V|75@1A@2V|40@2A@2V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1200 |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 5 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 4 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 75(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@100mA@1A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@100mA@1A|0.5@200mA@2A |