Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) NTA4153NT1G

Транзисторы биполярные (BJTs) NTA4153NT1G

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048163164
Бренд
ON Semiconductor***
Width
1.6mm
Pin Count
3
Вес, г
0.05
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 3 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0,915А, 0,3Вт, SC75

Технические параметры

Width1.6mm
Pin Count3
Вес, г0.05
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSC-75
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation300 mW
Typical Gate Charge @ Vgs1.82 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1.1V
Maximum Drain Source Resistance9.5 Ω
Maximum Continuous Drain Current915 mA

Техническая документация