Транзисторы биполярные (BJTs) MMBT5179
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003817690
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- NPN
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 3
- Power Gain
- 15(MIN)(dB)
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР, RF, NPN, 12 В, 2 ГГц, SOT-23-3; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo:12 В; Частота переxода ft:2 ГГц; Рассеиваемая мощность Pd:225 МВт; Ток коллектора постоянного тока:50 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:25hFE; R
Технические параметры
| Type | NPN |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Power Gain | 15(MIN)(dB) |
| Вес, г | 0.02 |
| Output Power | 0.02(MIN)(W) |
| Package Type | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| DC Current Gain | 25 |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 0.225(W) |
| Noise Figure (Max) | 5(dB) |
| Number of Elements | 1 |
| Emitter-Base Voltage | 2.5(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Collector Current (DC) | 0.05(A) |
| Collector Current (Ic) | 50mA |
| Collector-Base Voltage | 20(V) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 225 mW |
| Transition Frequency (fT) | 900MHz |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 25@3mA, 1V |
| Maximum DC Collector Current | 50 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 2.5 V |
| Maximum Transition Frequency | 2000 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 20 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 20nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 12 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 12V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@10mA, 1mA |