Транзисторы биполярные (BJTs) MJD2955G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003035478
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 6.22 mm
- Height
- 2.38 mm
Цена по запросу
(от 131 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20uA 60 В 1,75 Вт 20 при 4 А, 4 В 10 А, 2 МГц 8 В при 10 А,3,3 А PNP -55°C~+150°C (Tj) TO-252-2 (DPAK) Биполярные транзисторы - BJT ROHS
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 6.22 mm |
| Height | 2.38 mm |
| Length | 6.73 mm |
| Series | MJD2955 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.6 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | MJD2955 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Высота | 2.38 mm |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Ширина | 6.22 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 75 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 20 W |
| Minimum DC Current Gain | 20 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 2 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 500 kHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 70 V |
| Continuous Collector Current | 10 A |
| Maximum DC Collector Current | 10 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 20 |
| Maximum Collector Base Voltage | 70 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.1 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 70 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 2 MHz |